专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [外观设计]机械抛光装置-CN201930639153.4有效
  • 林佳航 - 林佳航
  • 2019-11-20 - 2020-05-05 - 15-09
  • 1.本外观设计产品的名称:机械抛光装置。2.本外观设计产品的用途:物体表面进行研磨和抛光。3.本外观设计产品的设计要点:在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片:立体图。
  • 机械抛光装置
  • [发明专利]化学机械抛光设备-CN201110143089.3有效
  • 路新春;沈攀 - 清华大学
  • 2011-05-30 - 2011-10-12 - B24B37/00
  • 本发明公开了一种化学机械抛光设备,所述化学机械抛光设备包括:多个化学机械抛光机,所述多个化学机械抛光机分别用于抛光晶圆;机械手,所述机械手用于搬运晶圆;和过渡装置,所述过渡装置用于放置晶圆,其中所述多个化学机械抛光机和所述过渡装置围绕所述机械手布置以便所述机械手将所述过渡装置上的未抛光晶圆搬运到所述化学机械抛光机上且将抛光后的晶圆从所述化学机械抛光机搬运到所述过渡装置上且在所述多个化学机械抛光机之间搬运晶圆根据本发明实施例的化学机械抛光设备具有工作效率高的优点。
  • 化学机械抛光设备
  • [发明专利]利用化学机械抛光设备进行化学机械抛光的方法-CN201110143287.X有效
  • 路新春;沈攀 - 清华大学
  • 2011-05-30 - 2011-11-16 - B24B1/00
  • 本发明公开了一种利用化学机械抛光设备进行化学机械抛光的方法,所述化学机械抛光设备包括多个化学机械抛光机、机械手和过渡装置,其中所述多个化学机械抛光机和所述过渡装置围绕所述机械手布置,所述方法包括以下步骤:A)通过所述机械手将所述过渡装置上的晶圆搬运到所述多个化学机械抛光机中的至少一个上以便利用所述多个化学机械抛光机对晶圆进行抛光;B)通过所述机械手将抛光后的晶圆搬运到所述过渡装置上;和C)重复步骤A)和B)直到完成所有晶圆的抛光。根据本发明实施例的利用化学机械抛光设备进行化学机械抛光的方法具有晶圆传输距离短、晶圆传输时间短和工作效率高的优点。
  • 利用化学机械抛光设备进行方法
  • [发明专利]化学机械抛光方法-CN201110288857.4有效
  • 路新春;王同庆;曲子濂;何永勇 - 清华大学
  • 2011-09-23 - 2012-01-25 - B24B37/02
  • 本发明公开了一种化学机械抛光方法,所述化学机械抛光方法包括:A)利用终点测量装置测量晶圆上的多个点的膜厚前值;B)根据多个点的膜厚前值对晶圆进行化学机械抛光;和C)利用终点测量装置测量多个点的膜厚后值,并根据多个点的膜厚后值来判断晶圆的表面抛光厚度是否均匀,如果晶圆的表面抛光厚度不均匀,则根据多个点的膜厚前值与膜厚后值的差值对晶圆进行化学机械抛光直至晶圆的表面抛光厚度均匀。利用根据本发明实施例的化学机械抛光方法对晶圆进行化学机械抛光时无需再使用在线测量装置,从而不仅可以大大地简化进行化学机械抛光的化学机械抛光设备的结构,降低化学机械抛光设备的成本,而且可以大大地降低晶圆的化学机械抛光成本
  • 化学机械抛光方法
  • [发明专利]化学机械抛光终点检测装置-CN201710245274.0在审
  • 王军星;郭振宇;沈攀;雷殿波;路新春 - 天津华海清科机电科技有限公司;清华大学
  • 2017-04-14 - 2017-07-07 - B24B37/013
  • 本发明公开了一种化学机械抛光终点检测装置,包括装置与化学机械抛光平台配合使用,化学机械抛光平台的抛光盘上设置有窗口,装置包括平面反射镜;搭载平面反射镜的转轴,转轴用于调整平面反射镜的角度;光发射模块,用于发出激光线,激光线经由平面反射镜通过窗口照射到抛光盘上的晶圆表面;光检测模块,用于接收经由窗口接收晶圆的反射光线,以根据反射光线确定化学机械抛光工艺的终点。该实施例的化学机械抛光终点检测装置通过转轴可调节激光线射向化学机械抛光平台的抛光盘上窗口的角度,由此,提高了该装置的可调节性,容错性,可适用于不同厂家的化学机械抛光平台。
  • 化学机械抛光终点检测装置
  • [实用新型]化学机械抛光终点检测装置-CN201720391740.1有效
  • 王军星;郭振宇;沈攀;雷殿波;路新春 - 天津华海清科机电科技有限公司;清华大学
  • 2017-04-14 - 2017-11-21 - B24B37/013
  • 本实用新型公开了一种化学机械抛光终点检测装置,包括装置与化学机械抛光平台配合使用,化学机械抛光平台的抛光盘上设置有窗口,装置包括平面反射镜;搭载平面反射镜的转轴,转轴用于调整平面反射镜的角度;光发射模块,用于发出激光线,激光线经由平面反射镜通过窗口照射到抛光盘上的晶圆表面;光检测模块,用于接收经由窗口接收晶圆的反射光线,以根据反射光线确定化学机械抛光工艺的终点。该实施例的化学机械抛光终点检测装置通过转轴可调节激光线射向化学机械抛光平台的抛光盘上窗口的角度,由此,提高了该装置的可调节性,容错性,可适用于不同厂家的化学机械抛光平台。
  • 化学机械抛光终点检测装置
  • [实用新型]一种化学机械抛光保持环和化学机械抛光承载头-CN202022073530.2有效
  • 刘建业 - 江门市蓬江区泰德利机械设备有限公司
  • 2020-09-21 - 2021-08-03 - B24B37/30
  • 本实用新型涉及化学机械抛光技术领域,且公开了一种化学机械抛光保持环和化学机械抛光承载头,包括抛光机输出主轴,抛光机输出主轴的下端连接有化学机械抛光承载头;化学机械抛光承载头的侧壁上对称开设有多个定位螺栓连接孔,化学机械抛光承载头上安装有便捷化学机械抛光保持环;便捷化学机械抛光保持环的两侧均连接有便捷拆装连接把手;便捷拆装连接把手的外表面设置有定位螺栓。该化学机械抛光保持环和化学机械抛光承载头,通过化学机械抛光承载头和多个定位螺栓连接孔配合使用,使保持环与晶圆的距离能够达到最佳位置,防止晶圆出现过抛现象,能够有效的避免金属离子污染和保持环与晶圆发生机械碰撞
  • 一种化学机械抛光保持承载
  • [发明专利]用来对基板进行化学机械抛光的方法-CN201010184693.6有效
  • 刘振东;郭毅 - 罗门哈斯电子材料CMP控股股份有限公司
  • 2010-04-28 - 2010-11-03 - B24B37/04
  • 一种用来对基板进行化学机械抛光的方法,该方法包括:提供一种基板,所述基板包含二氧化硅;提供一种化学机械抛光组合物,该化学机械抛光组合物包含:水,磨料;式(I)所示的双季阳离子;以及任选的季烷基铵化合物;提供化学机械抛光垫;在所述化学机械抛光垫和基板之间的界面处建立动态接触;以及在所述化学机械抛光垫和基板之间的界面处或界面附近将所述化学机械抛光组合物分配在所述化学机械抛光垫上;所述化学机械抛光组合物的pH为2-6;所述化学机械抛光组合物的二氧化硅去除速率至少为1,500/分钟。
  • 用来进行化学机械抛光方法
  • [发明专利]化学机械抛光方法-CN201110265339.0无效
  • 路新春;王同庆 - 清华大学
  • 2011-09-07 - 2012-01-18 - B24B29/02
  • 本发明公开了一种化学机械抛光方法,所述化学机械抛光方法包括:A)利用抛光头夹持晶圆以在抛光垫上对所述晶圆进行化学机械抛光;和B)在所述化学机械抛光停止期间向所述抛光头喷水以对所述抛光头保湿。根据本发明实施例的化学机械抛光方法不仅可以提高化学机械抛光的效果,而且可以大大地延长所述抛光头的使用寿命。
  • 化学机械抛光方法
  • [发明专利]化学机械抛光方法-CN201110264347.3无效
  • 路新春;王同庆 - 清华大学
  • 2011-09-07 - 2011-12-28 - B24B37/04
  • 本发明公开了一种化学机械抛光方法,所述化学机械抛光方法包括:A)利用抛光头夹持晶圆以在抛光垫上对所述晶圆进行化学机械抛光;和B)在所述化学机械抛光停止期间向所述抛光垫喷水以对所述抛光垫保湿。根据本发明实施例的化学机械抛光方法不仅可以提高化学机械抛光的效果,而且可以大大地延长所述抛光垫的使用寿命。
  • 化学机械抛光方法
  • [发明专利]一种抛光头、化学机械抛光装置和方法-CN202011413321.6有效
  • 沙酉鹤 - 上海新昇半导体科技有限公司
  • 2020-12-03 - 2021-12-17 - B24B37/10
  • 本发明公开了一种抛光头、化学机械抛光装置和方法。所述抛光头包括主体部,用以夹持晶圆并使所述晶圆的待抛光表面朝下以进行化学机械抛光;其中,在所述主体部上设置有边缘供液回路,所述边缘供液回路用以在化学机械抛光过程中向所述晶圆的边缘提供液体以改变所述晶圆的边缘处的抛光液的浓度根据本发明的抛光头和化学机械抛光方法,通过在抛光过程中从晶圆的边缘处引入液体,改变晶圆边缘的抛光液浓度,从而控制晶圆边缘的化学机械抛光速率,改善了晶圆在化学机械抛光工艺中的抛光均匀性。
  • 一种抛光化学机械抛光装置方法
  • [发明专利]抛光半导体衬底的方法-CN201610087216.5有效
  • Y·郭;D·莫斯利 - 罗门哈斯电子材料CMP控股股份有限公司
  • 2016-02-16 - 2019-05-28 - B24B37/04
  • 提供一种用于具有暴露的二氧化硅特征的衬底的化学机械抛光的工艺,包括:提供化学机械抛光组合物,其含有以下各者作为初始组分:水、胶态二氧化硅研磨剂和氧锆化合物;其中所述化学机械抛光组合物的pH值≤6;给化学机械抛光衬垫提供抛光表面;将所述化学机械抛光组合物接近所述化学机械抛光衬垫与所述衬底之间的界面分配到所述化学机械抛光衬垫的所述抛光表面上;和在所述化学机械抛光衬垫与所述衬底之间的所述界面处创造动态接触;其中所述衬底经抛光
  • 抛光半导体衬底方法

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